SK Hynix เริ่มผลิตชิป 4D NAND แบบ 128 เลเยอร์ เป็นรายแรกของโลก
ก่อนหน้านี้เราเคยพูดถึงข่าวอาจจะมีการปรับราคาของชิปหน่วยความจำ NAND Flash ที่จะส่งผลต่อราคาของ SSD ให้มีการขยับขึ้น แต่ก็สามารถถูกชดเชยด้วยเทคโนโลยีการผลิตแบบใหม่ที่ทำให้มีต้นทุนต่อความจุที่ถูกลง ซึ่งในตอนนี้่บริษัท SK Hynix ก็ได้ออกมาประกาศความพร้อมในการผลิตชิปหน่วยความจำ NAND Flash ใหม่ล่าสุดที่สามารถซ้อนเลเยอร์ของหน่วยความจำได้มากถึง 128 เลเยอร์ ซึ่งปกติหน่วยความจำ NAND Flash ที่เราใช้กันอยู่ทุกวันนี้จะเป็นแบบ 64 เลเยอร์ และเริ่มมีรุ่นที่เป็น 96 เลเยอร์บางในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
ส่วนคำว่า 4D NAND Flash ของ SK Hynix มันก็คือเทคโนโลยีเดียวกับกับ 3D NAND เหมือนผู้ผลิตรายอื่น เพียงแต่ทาง SK Hynix มีเทคโนโลยีพิเศษเฉพาะตัวเสริมเข้าไปเช่น CTF (Charge Trap Flash และ PUC (Peri. Under Cell) เพิ่มเติมขึ้นมา ทำให้ทาง SK Hynix ได้เรียกชิปหน่วยความจำ NAND Flash ของต้นว่าเป็นแบบ 4D
4D NAND แบบ 128 เลเยอร์ ขนาด 1TB นั้นจะใช้พื้นที่ของเวเฟอร์เพียง 40% เมื่อเทียบกับการผลิตด้วยเทคโนโลยีแบบ 96 เลเยอร์ เท่ากับว่าลดต้นทุนลงไปได้มาก ความเร็วในการทำงานต่อชิปของ 4D NAND Flash จะอยู่ที่ 1400 Mbps โดยใช้แรงดันไฟฟ้าที่ 1.2V ซึ่งสามารถให้ประสิทธิภาพที่เหมาะกับ SSD ในระดับอุตสาหกรรม รวมถึงนำไปใช้บนอุปกรณ์พกพาด้วย
นอกจากนี้แล้ว SK Hynix ยังวางแผนที่จะผลิต NAND Flash สำหรับบันทึกข้อมูลแบบ USF 3.1 ที่ใช้ NAND Flash 128 เลเยอร์ เป็นพื้นฐานให้ได้ในช่วงครึ่งปีแรกของปี 2020 อีกด้วย เพื่้อที่จะทำให้สมาร์ทโฟนสามารถมีพื้นที่ในการจัดเก็บมากถึง 1TB ได้ โดยใช้พื้นที่ในการติดตั้งชิปเพียงครึ่งเดียวเมื่อเทียบกับ NAND แบบเดิมที่มีความจุ 512GB
สำหรับตลาดพีซีทาง SK Hynix เองก็กำลังพัฒนา SSD NVMe ความจุ 2TB โดยที่ใช้ชิปควบคุมการทำงานที่ออกแบบโดยบริษัทเอง และภายในปีหน้าเช่นกันที่คาดว่าจะสามารถทำ SSD NVMe ที่มีความจุในระดับ 16TB และ 32TB เพื่อออกมาตอบสนองต่อความต้องการของตลาดคลาวด์และดาต้าเซนเตอร์
ขอขอบคุณแหล่งข้อมูลจาก : SK Hynix Press
