จุดเสียอย่างหนึ่งที่มักจะเกิดกับ high-speed DRAM อยู่บ่อยๆ ก็คือ latencies หรือดีเลย์ที่เพิ่มสูงขึ้น แต่บางครั้งก็เป็นอะไรที่ไม่ให้ผู้ใช้นั้นอัดมันเสียจนเลยเถิดจนเกินไป
สำหรับ memory kit ที่ดีไซน์ออกมาเพื่อรีดประสิทธิภาพทั้งทางด้านความเร็ว high speed/bandwidth และ low latency operation ไปพร้อมๆกันนี้, มันทำให้ผู้ใช้น้้นได้ประโยชน์ทางด้านประสิทธิภาพที่ดีมากยิ่งขึ้นและสามารถตอบสนองความต้องการของงานนั้นไปได้ด้วยดีหรือดีกว่า เพื่อให้ได้สิ่งๆนั้นมาทาง G.Skill นำเอา Samsung B-die DDR4 ICs มาใช้
G.Skill ประกาศตอนนี้ได้พัฒนา low latency CL17 4000+MHz memory kits ขึ้นมาใหม่ ซึ่งมาพร้อม ultra-high memory speeds และ extremely low memory latencies ( ดีเลย์ที่น้อยแถมแรงดันไฟที่ต่ำอย่างไม่น่าเชื่อ )
ตอนนี้ตัวที่เร็วที่สุดเป็น CL17-18-18-38 4x8GB 4,233MHz kit แรงดันไฟวิ่งอยู่แถว 1.45V และอีกตัวที่ย่านความเร็วที่ต่ำที่สุด low latency ( ดีเลย์ต่ำ ) และย่านความถี่อยู่แถวๆ 4,000 MHz เวลาอยู่ที่ CL17-17-17-37 latencies แรงดันไฟ 1.35V
G.Skill ทดสอบมันกับ ASUS ROG Maximus X Hero (Z370) motherboard ขับเคลื่อนด้วย i7 8700K CPU ภาพที่โพสมานี้โชว์ให้เห็น G.Skill’s 4,266MHz kit ถูกทดสอบด้วย Intel Coffee Lake setup
สำหรับเซ็ตใหม่นี้จะวางจำหน่ายในเดือนหน้า 2018 สามารถหาซื้อได้จากตัวแทนจำหน่าย
ขอขอบคุณแหล่งที่มาจาก : extremepc.in.th
